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拠点紹介/沿革

BASE INTRODUCTION拠点紹介

UMC グループは、12 の製造拠点を有しており、日本およびグローバルなお客様に高品質のファウンドリーサービスを提供してます。
写真にて掲載している4つの製造拠点は300mmウェハーサイズの半導体製造を行っている拠点となります。

本社

〒221-0056
神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜
TEL:045-620-2682

ACCESS
  • ・横浜駅きた東口Aから徒歩5分
  • ・JR線、東急東横線、みなとみらい線、京浜急行線、
    横浜市営地下鉄ブルーライン、相鉄線

三重工場

〒511-0118
三重県桑名市多度町御衣野2000
TEL:0594-48-5512

ACCESS
  • ・JR関西本線「桑名駅」もしくは
    近鉄名古屋線「桑名駅」下車タクシーで約20分
  • ・東名阪自動車道 桑名東インターチェンジもしくは
    桑名インターチェンジから車で約15分

名古屋デザインセンター

〒451-0045
愛知県名古屋市西区名駅2-27-8 名古屋プライムセントラルタワー
TEL:052-581-3203

ACCESS
  • ・JR中央本線 名古屋駅から徒歩7分
  • ・名古屋鉄道 名鉄名古屋駅、近鉄 名古屋駅から徒歩9分
  • ・地下鉄東山線/桜通線 名古屋駅から徒歩4分

HISTORY沿革

富士通 三重工場
1950 – 1979
1956 川崎工場内にトランジスタ工場新設
シリコントランジスタ第一号を製品化
1957 国内最大の大型汎用電子計算機FACOM222完成
1963 シリコン半導体技術を基に、TTLなど電算機向けIC開発に着目
1966 川崎工場に半導体製造クリーンルームが完成(日本初)ICの試作を開始
1967 10月/会津工場開設
11月/音響機器、ダイオードの生産開始
1968 世界初のフルIC電算機FACOM230-60完成
1970 Ni-Cr薄膜ハイブリットICを開発
福島県会津工場でIC生産を開始
1976 コンピュータ用メモリ64Kb/256Kb DRAMの微細加工技術確立
1979 CMOSゲートアレイの外販スタート
1980 – 1989
1980 5月/岩手工場開設。翌年、64K-DRAMの生産開始
半導体デバイスHEMTの製品化に成功
1981 パソコンFM-8に、世界初の64Kb DRAMを搭載
1983 世界初のCMOS 256Kb EPROM発表
1984 10月/若松工場開設。G/A、S/C、リニア等の生産開始 三重工場開設 10月/大容量メモリ・大規模ゲートアレイなどを試作・量産するため、三重工場を開設
150mm(1番館)操業開始
1985 EPROM製品初出荷
1988 5月/富士通エイ・エム・ディ・セミコンダクタ(株)設立
10月/米Gresham工場開設。翌年、256K-DRAM、1M-DRAMの生産開始
9月/150mm(2番館)操業開始
1990 – 1999
1991 11月/英Durham工場開工式。同月、4M-DRAM初出荷 7月/200mm(3番館)操業開始
1992 ガリウムヒ素(GaAs) ICの量産工場設立(世界初)
スーパーコンピュータの演算機能をワンチップ化したCMOSのベクトル処理LSIを開発(世界初)
1995 高性能プロセッサSPARC64を開発 三重工場でISO9001(1994年版)認証取得
1996 フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを用いた露光技術の開発。0.13umルールのパターン形成に成功(世界初) 三重工場でISO14001(1996年版)認証取得
1998 150mm(2番館)リニューアル(8インチ化)
1999 システムLSIの中核としてVLIWプロセッサ”FR-Vファミリー”を開発
2000-2009
2000 あきる野テクノロジセンター開設
最先端デバイスの開発、設計、試作の一貫体制を確立
2003 半導体後工程の専業会社「富士通インテグレーテッドマイクロテクノロジ株式会社」(FIM)の設立
2004 米国ラティスセミコンダクター社からFPGA製品の製造を受託
ISO14001(1996年版)富士通グループ統合認証取得
三重工場に300mmウェーハ対応の新棟完成(2005年4月より90nmで稼動)
2005 「マルチギガビットCMOS高速I/O技術の開発と実用化」が第51回大河内記念賞を受賞
基地局と端末機器双方で使用できるWiMAX対応ベースバンドLSI開発(世界初)
ISO14001(1996年版)富士通全社統合認証取得
90nmテクノロジーのロジックLSI生産拠点、三重工場300mm第1棟を稼働開始
9月/NAS電池導入
2006 ISO14001(2004年版)富士通グループWORLD-WIDE統合認証取得 三重工場に300mmウェーハ対応の第2棟建設(2007年4月より65nmで稼動)
9月/モシス社が特許を持つ組み込みメモリ技術である「1T-SRAM(R)」を、65nmLSI製造プロセスでライセンスする契約を締結
2007 65nmテクノロジー対応の三重工場300mm第2棟を稼働開始
濃厚フッ酸排水から高純度蛍石を生成回収成功
2008 3月21日/LSI事業を会社分割により分社し、「富士通マイクロエレクトロニクス株式会社」(現 富士通セミコンダクター株式会社)を設立 富士通マイクロエレクトロニクスとして創業開始 8月 ISO/TS16949取得
2009 TSMCへの40nmロジックICの製造委託と、28nm以降の最先端技術での協業を発表 本社を横浜市(港北区新横浜)に移転
2010-2019
2010 4月1日/「富士通セミコンダクター株式会社」へ社名変更 富士通セミコンダクターとして創業開始 スーパーコンピュータ「京」半導体チップ製造開始
2011 ARM社と包括的ライセンス契約を締結
設計子会社2社の統合
米国SuVoltaの低消費電力CMOS技術「PowerShrink™」のライセンスを富士通セミコンダクターが受け、実用化に向け共同開発を開始
2012 岩手工場を株式会社デンソーに譲渡
富士通インテグレーテッドマイクロテクノロジ株式会社のLSI後工程製造拠点を株式会社ジェイデバイスへ譲渡
6月 ISO/TS16949第三者認証機関の変更
放流水監視用に飼育している「めだか」の繁殖に成功
2013 マイコン・アナログ事業をSpansion社(現Cypress社)へ譲渡 4月/液化天然ガス(LNG)サテライト基地設置
9月/DDCトランジスタ採用製品の量産を開始
12月/DDCテクノロジーを適用したロジック回路とフラッシュメモリセルとを混載して製造する技術を開発
2014 米Transphorm, Inc.と窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス事業で事業統合
ファウンドリー新会社の事業を開始
8月/三重工場、会津工場のファウンドリー分社化、および台湾UMC社との40nmテクノロジーライセンス契約締結を発表
スーパーコンピュータ「京」半導体チップ製造開始 12月、三重富士通セミコンダクター(株)設立。台湾UMC社が資本参加
2015 4月/SuVolta社の超低消費電力技術の知的財産権を取得
11月/半導体製造ライン(前工程)に旋回流誘引型成層空調を採用
2016 4月/Kilopass社と三重富士通セミコンダクターがテクノロジー開発のパートナーシップを発表
4月/Deeply Depleted Channel(DDC)によるニア/サブスレッショルド技術でエネルギー消費を低減
8月/カーボンナノチューブを使った不揮発性メモリ「NRAM」のライセンス供与および商品化に向けた共同開発で合意
2019 1月/本社および新横浜デザインセンターを横浜に統合
3月/ISO14001:2015MIFS単独認証取得
USJC United Semiconductor Japan
2019 9月/UMC、三重富士通セミコンダクターの株式100%取得
10月/UMC、ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社(United Semiconductor Japan Co., Ltd.)に社名変更
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